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UES1102

RECTIFIERS

DESCRIPTION Anaxialleadedpowerrectifierusefulinmanyswitchingapplications.Particularlysuitedwhereveryfastrecoveryandlowforwardvoltagearerequired. FEATURES •VeryFastRecoveryTimes •VeryLowForwardVoltage •SmallSize •ConvenientPackage

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

UL1102N

PARAMETRYDOPUSZCZALNE

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

UM1102

25to30WattDC-DCConverters

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

V-1102-SMD-A

ASS1004HS

ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS

ASSMANN WSW组件有限公司

V-1102-SMD-A-L

ASS1004HS

ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS

ASSMANN WSW组件有限公司

VB1102M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VB1102M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •Materialcategorization: APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitch •LEDBacklightinginLCDTVs

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBA1102M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •HighFrequencyBoostConverter •LEDBacklightforLCDTV

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBA1102N

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses •100RgTested •100AvalancheTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1102M

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •175°COperatingTemperature •FastSwitching •EaseofParalleling

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1102M

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1102N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1102N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch •IsolatedDC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBFB1102M

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBM1102M

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBM1102M

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBM1102N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBM1102N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBQA1102N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VTPS1102HA-TR

EquivalenttoJEDEClevel3(IPC/JEDECJ-STD-020D)

Stanley

Stanley Electric Co

晶体管资料

  • 型号:

    STC1102

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率开关 (PSW)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    6A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    3DD68E,

  • 最大耗散功率:

    85W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    D-147

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    6

  • wtest:

    85

详细参数

  • 型号:

    STC1102

  • 制造商:

    Thomas & Betts

  • 功能描述:

    STRAIGHT CU MECH CONN

  • 功能描述:

    Conn Terminal Block 1 POS Screw ST Cable Mount

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
施耐德
22+
NA
500000
万三科技,秉承原装,购芯无忧
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COILMASTER
21+
NA
450000
原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量!
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FRONTIER
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
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23+
N/A
78500
一级代理放心采购
询价
23+
N/A
58600
一级代理放心采购
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Sunltech(韩国顺磁)
23+
SMD5P
6000
诚信服务,绝对原装原盘
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ST
12+
SOP16
4200
原装现货价格有优势量多可发货
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STC
2016+
PDIP
6528
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品!
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STC
23+
SOP20
1520
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购!
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STC??
2020+
SOP16
5000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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更多STC1102供应商 更新时间2024-6-3 16:39:00