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STBV22351BY4	文件：1.77216 Mbytes Page：9 Pages	GaN HEMT 50V, 350W,1.8-2.2GHz RF Power Transistor Description The STBV22351BY4 is a dual path 350watt , Input matched GaN HEMT, ideal for applications from 1.8 to 2.2GHz especially for LTE/5G There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies. Applications  Asymmetrical Doherty amplifier within 1.8-2 文件：1.77216 Mbytes 页数：9 Pages	INNOGRATION 远创达	INNOGRATION
STBV22351BY4	文件：300 bytes Page：1 Pages	GaN Transistors	Innogration 远创达	Innogration
STBV32其他被动元件	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	ST/意法上传：深圳和润天下电子科技有限公司	ST/意法
STC10F04XE	文件：0 bytes Page：0 Pages	LQFP44	STCSTCmicro Technology Co,.Ltd 宏晶科技北京宏晶科技有限公司上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	STC
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更多STBV22351BY4供应商更新时间2025-10-26 15:30:00