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STB8N65M5_ST/意法半导体_MOSFET MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A星佑三部
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号:
STB8N65M5
- 功能描述:
MOSFET MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
- 企业:
深圳市星佑电子有限公司
- 商铺:
- 联系人:
李小姐
- 手机:
15869807203
- 询价:
- 电话:
15869807203
- 传真:
0755-83997861
- 地址:
深圳市福田区深南中路3007号国际科技大厦2201
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