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STB80NF55-08-1规格书详情
Description
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique “single feature size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
■ Standard threshold drive
产品属性
- 型号:
STB80NF55-08-1
- 功能描述:
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
- RoHS:
否
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
STripFET™
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
15000 |
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询价 | |||
ST/意法半导体 |
24+ |
D2PAK-3 |
20000 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
D2PAK-3 |
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ST |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
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ST |
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DPAK |
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ST/意法半导体 |
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D2PAK-3 |
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ST(意法) |
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NA/ |
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ST/意法半导体 |
24+ |
D2PAK-3 |
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十年沉淀唯有原装 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
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ST |
21+ |
原厂原封 |
23480 |
询价 |