首页>STB80NF55-06-1>规格书详情
STB80NF55-06-1中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STB80NF55-06-1规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
General features
■ Exceptional dv/dt capability
■ 100 avalanche tested
■ Application oriented characterization
Applications
■ Switching application
产品属性
- 型号：
STB80NF55-06-1
- 功能描述：
MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
TO-262 |
504298 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-262-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-262-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-262-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-262-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-262-3 |
4650 |
绝对原装公司现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-262-3 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO220MONOC.. |
8866 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-262-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 |
