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STB80N4F6AG规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STB80N4F6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.006
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：36
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
原装 |
32000 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
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ST/意法 |
24+ |
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ST/意法半导体 |
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TO-263-3 |
10000 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
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ST/意法 |
24+ |
NA |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
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询价 |
