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V60120C	文件：156.2 Kbytes Page：5 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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