STB50NE10中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
STB50NE10
- 功能描述:
MOSFET RO 511-STB40NF10L
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
询价 | ||
ST |
06+ |
TO-263 |
8000 |
原装 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO263 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
4500 |
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询价 | ||
ST/意法 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
ST |
25+ |
D2PAK |
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VBsemi |
24+ |
D2PAK |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
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ST |
22+ |
TO-263 |
66900 |
原厂原装现货 |
询价 |