STB50NE10中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STB50NE10规格书详情
Description
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
General features
■ Exceptional dv/dt capability
■ 100 avalanche tested
■ Low gate charge at 100 °C
■ Application oriented characterization
Applications
■ Switching application
产品属性
- 型号：
STB50NE10
- 功能描述：
MOSFET RO 511-STB40NF10L
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3509 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST |
2016+ |
TO263 |
6000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
询价 | ||
VBsemi |
24+ |
D2PAK |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
ST |
18+ |
TO-263 |
1500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT-263 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
询价 | ||
ST/意法 |
06+ |
TO-263 |
259 |
询价 | |||
ST |
22+ |
SOT-263 |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
8795 |
询价 |
