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STB50NE08	文件：95.45 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ??SINGLE FEATURE SIZE ??POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSGS-THOMSONunique”SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkable	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP50NE08	文件：371.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP50NE08	文件：95.4 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODESINGLEFEATURESIZEPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSGS-THOMSONunique”SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkable	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

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更多STB50NE08供应商更新时间2025-7-24 17:05:00

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