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STB24NM65N中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

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厂商型号

STB24NM65N

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

丝印标识

D2PAK

封装外壳

TO-263

文件大小

314.2 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-30 15:17:00

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STB24NM65N规格书详情

DESCRIPTION

• Low Drain-Source On-Resistance

FEATURES

• Drain Current –ID= 19A@ TC=25℃

• Drain Source Voltage-

: VDSS= 650V(Min)

• Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 190mΩ (Max)

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

• Switching application

产品属性

  • 型号:

    STB24NM65N

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 650V 0.16 Ohms 19A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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