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STB20NM50T4中文资料N-channel 500 V, 200 mOhm typ., 20 A MDmesh Power MOSFET in a D2PAK package数据手册ST规格书
STB20NM50T4规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 型号：
STB20NM50T4
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
5239 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
10000 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-263 |
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ST/意法 |
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SOT-263 |
100000 |
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ST/意法 |
24+ |
NA |
990000 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-263 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
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STMICRO |
NA |
8560 |
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