N沟道900 V、0.21 Ohm典型值、20 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装

这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。 • 业界领先的低RDS(on) x面积 \n• 业界出色的品质因数（FoM） \n• 极低的栅极电荷 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 稳压保护;

ST

意法半导体

丝印：20N90K5；Package：D2PAK；N-channel 900 V, 0.21 廓 typ., 20 A MDmesh??K5 Power MOSFET in a D짼PAK package

文件：883.47 Kbytes 页数：15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 900 V, 0.21 廓 typ., 20 A MDmesh??K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

文件：690.41 Kbytes 页数：13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 900V(Min) -RDS(on) = 0.25Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：319.08 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 900V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.25Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switching

文件：397.17 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电