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SVT20120UB	文件：229.42 Kbytes Page：5 Pages	EXTREMELOWVFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
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U20120GR	文件：349.16 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereHeatsinkCommonAnodeUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
U20120RG	文件：349.16 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereHeatsinkCommonAnodeUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
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UFT20120	文件：231.22 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFASTRECOVERYMODULES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UFT20120	文件：219.08 Kbytes Page：4 Pages	UltrafastRecoveryModules	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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V20120C	文件：167.06 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) •Componentinacco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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