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STB200NF04L规格书详情
DESCRIPTION
This MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique “Single Feature Size™” stripbased process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignement steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. This new improved device has been specifically designed for Automotive applications.
General Features
■ TYPICAL RDS(on) = 3mΩ
■ 100 AVALANCHE TESTED
■ LOW THERESHOLD DRIVE
APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED
产品属性
- 型号：
STB200NF04L
- 功能描述：
MOSFET N Ch 40V 3mOhm 120A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
SOT-263 |
80000 |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
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ST |
22+ |
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9000 |
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ST |
24+ |
TO-263 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
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NA |
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ST |
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TO-263 |
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TO263 |
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