| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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6年
留言
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ST(意法半导体)N/A |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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10年
留言
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ST/意法TO-263 |
76200 |
26+ |
全新原装进口现货,,本公司承诺原装正品假一赔百 |
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7年
留言
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STMicroelectronicsN/A |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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8年
留言
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ST/意法半导体TO-263-3 |
6002 |
22+ |
原装正品现货 可开增值税发票 |
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15年
留言
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ST/意法TO263 |
32360 |
25+ |
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ST/意法全新特价STB200NF03T4即刻询购立享优惠#长期有货 |
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10年
留言
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ST/意法TO-263 |
76200 |
26+ |
代理分销现货库存 本公司承诺原装正品假一赔百 |
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10年
留言
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STTO220AB |
86720 |
26+ |
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百 |
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13年
留言
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STTO-262 |
59630 |
23+24 |
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管 |
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10年
留言
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ST(意法)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货，欢迎咨询 |
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1年
留言
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ST/意法半导体TO-263-3 |
16900 |
24+ |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
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10年
留言
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STTO-263/D2-PAK |
32500 |
25+ |
普通 |
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3年
留言
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ST/意法半导体TO-263-3 |
16900 |
23+ |
公司只做原装，可来电咨询 |
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16年
留言
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STTO-263-3 |
3577 |
2025+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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5年
留言
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STTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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VBsemiTO263 |
10065 |
25+ |
只做原装进口!正品支持实单! |
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17年
留言
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STTO-263 |
7500 |
24+ |
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12年
留言
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STTO-263 |
90000 |
25+ |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
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7年
留言
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VBsemiTO263 |
10065 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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1年
留言
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NK/南科功率TO-263-2 |
986966 |
2025+ |
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国产 |
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6年
留言
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VBSEMI/台湾微碧D2PAK |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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STB200图片
STB200NF04T4价格
STB200NF04T4价格：￥11.4969品牌：STMicroelectronics
生产厂家品牌为STMicroelectronics的STB200NF04T4多少钱，想知道STB200NF04T4价格是多少？参考价：￥11.4969。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，STB200NF04T4批发价格及采购报价，STB200NF04T4销售排行榜及行情走势，STB200NF04T4报价。
STB200NF04T4低压MOS管资讯
STB200NF04 ST/意法 TO263 N沟道 MOS管 40V 120A
深圳市轩嘉盛电子有限公司 STB200NF04 40V 120A TO263 ST/意法
STB200NF04T4低压MOS管中文资料Alldatasheet PDF
更多STB200N04功能描述:MOSFET NCh 40V 0.0035U 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STB200N4F3功能描述:MOSFET N-Ch, 40V-0.0035ohms 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STB200N6F3功能描述:MOSFET N-channel 60 V 3 m 120 A TO-22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STB200NF03制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB200NF03_07制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.0032ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
STB200NF03-1制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 120A 3PIN I2PAK - Rail/Tube
STB200NF03T4功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STB200NF04制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 mOHM TO-220/D2PAK/I2PAK STripFETII MOSFET
STB200NF04-1功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:STripFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
STB200NF04L功能描述:MOSFET N Ch 40V 3mOhm 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
