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STB15NM65N规格书详情
描述 Description
This series of devices implements the second generation of MDmesh™ Technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the Company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters
特性 Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STB15NM65N
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
4225 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
MAXIM |
23+ |
SSOP |
5000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST |
2016+ |
TO-263 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
23+ |
NA |
1000 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | |||
ST |
25+23+ |
TO263 |
74668 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
ST |
1000 |
19+ |
8000 |
TO-263 |
询价 | ||
ST |
17+ |
D2PAK |
6200 |
询价 |
