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STB1277-Y	文件：66.5 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ● General Purpose Switching and Amplification. ● High Total Power Dissipation. ● High hFE and Good Linearity 文件：66.5 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
STB1277_15	文件：66.5 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor 文件：66.5 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
STB1277L	文件：196.85 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Transistor 文件：196.85 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI

技术参数

PCM(W)：
0.625
IC(A)：
2
VCBO(V)：
30
VCEO(V)：
30
VEBO(V)：
5
hFEMin：
100
hFEMax：
320
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
0.8
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.2
Package：
TO-92

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