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START499D分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

START499D
厂商型号

START499D

参数属性

START499D 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 4.5V SOT89

功能描述

NPN RF silicon transistor
RF TRANS NPN 4.5V SOT89

封装外壳

TO-243AA

文件大小

238.53 Kbytes

页面数量

18

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 23:00:00

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START499D规格书详情

START499D属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由意法半导体集团制造生产的START499D晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

Description

The START499D provide the market with a Si state-of-art RF process. Manufactured with ST 3rd generation bipolar process, it offers the highest power, gain and efficiency in SOT-89 for given breakdown voltage (BVCEo). START499D is suitable for a wide range of application up to 1 GHz.

Features

■ High efficiency

■ Common emitter configuration

■ Broadband performances POUT = 29 dBm with 14 dB gain @ 900 MHz

■ Plastic package

■ Linear and non linear operation

■ Supplied in tape and reel

■ In compliance with the 2002/95/EC european directive

产品属性

更多
  • 产品编号:

    START499D

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    4.5V

  • 增益:

    13dB ~ 14dB

  • 功率 - 最大值:

    1.7W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 160mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    1A

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4.5V SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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