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NPNDarlingtonGeneralpurpose ExternaldimensionsD•••STA(10-pin) VCBO120V VCEO100V VEBO6V IC4A ICP8(PW≤10ms,Du≤50)A | SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社 | Sanken | ||
NPNDarlingtonGeneralpurpose | SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社 | Sanken | ||
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NPNSiliconTransistor Features •PowerTransistorGeneralPurposeapplication •Lowsaturationvoltage:VCE(SAT)=0.4VTyp. •HighVoltage:VCEO=60VMin. | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
NPNSiliconTransistor Features •PowerTransistorGeneralPurposeapplication •Lowsaturationvoltage :VCE(SAT)=0.4VTyp. •HighVoltage:VCEO=60VMin. | AUK AUK corp | AUK | ||
NPNSiliconTransistor | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
NPNSiliconTransistor Features ·PowerTransistorGeneralPurposeapplication ·Lowsaturationvoltage:VCE(SAT)=0.4VMax. ·HighVoltage:VCEO=60VMin. | AUK AUK corp | AUK | ||
NPNSiliconTransistor Features •PowerTransistorGeneralPurposeapplication •Lowsaturationvoltage :VCE(sat)=0.4VTyp. •HighVoltage:VCEO=60VMin. Applications •Poweramplifierapplication •Highcurrentswitchingapplication | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
NPNSiliconTransistor | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
NPNSiliconTransistor Features •PowertransistorGeneralPurposeapplication •Lowsaturationvoltage :VCE(sat)=0.4V(Typ.) •HighVoltage:VCEO=60VMin Applications •Poweramplifierapplication •Highcurrentswitchingapplication | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
功率开关 （PSW）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
45V
- 最大电流允许值：
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
3DD60B,
- 最大耗散功率：
25W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-70
- vtest：
45
- htest：
999900
- atest：
0
- wtest：
25
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
松田 |
21+ |
4032 |
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4032 |
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DIP |
200000 |
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DIP |
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原装，请咨询 |
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3675 |
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SMC Diode Solutions |
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TO220AB |
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13880 |
公司只售原装,支持实单 |
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SMC Diode Solutions |
21+ |
TO220AB |
63880 |
本公司只售原装 支持实单 |
询价 |
