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ST2SD1691T	文件：145.34 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Power Transistor NPNSiliconEpitaxialPowerTransistor ForLow-FrequenceyPowerAmplifiersand Mid-SpeedSwitching Thetransistorissubdividedintothreegroups,M,Land K,accordingtoitsDC-DCcurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2SD1691	文件：59.69 Kbytes Page：1 Pages	Itisintentedforuseinpoweramplifierandswitchingapplications. DESCRIPTION Itisintentedforuseinpoweramplifierandswitchingapplications.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2SD1691	文件：250.85 Kbytes Page：4 Pages	LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1691	文件：136.53 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SB1151 ·Lowsaturationvoltage ·Hightotalpowerdissipation:PT=1.3W ·LargecurrentcapabilityandwideSOA APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Driverofsolenoidormotor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1691	文件：237.21 Kbytes Page：6 Pages	SILICONPOWERTRANSISTOR FEATURES •LargecurrentcapacityandlowVCE(sat): IC(DC)=5.0A,IC(pulse)=8.0A VCE(sat)=0.1VTYP.(@IC=2.0A,IB=0.2A) •LargepowerdissipationTO-126typepowertransistor PT=1.3W(@Ta=25°C),20W(@Tc=25°C) •Complementarytransistor:2SB1151	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1691	文件：112.48 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SB1151 ·Lowsaturationvoltage ·Hightotalpowerdissipation:PT=1.3W ·LargecurrentcapabilityandwideSOA APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Driverofsolenoidormotor	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1691	文件：102.58 Kbytes Page：3 Pages	LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT ■FEATURES HighPowerDissipation Complementaryto2SB1151	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1691	文件：150.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION The2SD1691isalowVCE(sat)transistorwhichhasalargecurrentcapabilityandwideSOA. ItissuitableforDC-DCconverter,ordriverofsolenoidormotor. FEATURES ●LowCollectorSaturationVoltage. VCE(sat)=0.1VTYP.(@IC/IB=2.0A/0.2A) ●LargeCurrent. IC(DC)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SD1691	文件：78.64 Kbytes Page：1 Pages	ComplementarySiliconPowerTtransistors DESCRIPTION Itisintentedforuseinpower amplifierandswitchingapplications.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2SD1691	文件：311.47 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighCollectorCurrent-IC=5A ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=2A ·ComplementtoType2SB1151 ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforuseinDC-DCconverter,ordriverofsol	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
ST2SD1691T
制造商：
SEMTECH_ELEC
制造商全称：
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
功能描述：
NPN Silicon Epitaxial Power Transistor

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