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ST2SD1616	文件：157.46 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Transistor NPNSiliconTransistor The2SD1616/2SD1616Aaredesignedforusein driverandoutputstagesofAFamplifiergeneral purposeapplication. ThetransistorissubdividedintothreegroupsR,O andY,accordingtoitsDCcurrentgain Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedi	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
ST2SD1616A	文件：157.46 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Transistor NPNSiliconTransistor The2SD1616/2SD1616Aaredesignedforusein driverandoutputstagesofAFamplifiergeneral purposeapplication. ThetransistorissubdividedintothreegroupsR,O andY,accordingtoitsDCcurrentgain Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedi	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2SD1616	文件：145.22 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION Audiofrequencypoweramplifier Mediumspeedswitching	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1616	文件：156.68 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS DESCRIPTION The2SD1616/2SD1616AaredesignedforuseindriverandoutputstagesofAFamplifier,generalpurposeapplication.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SD1616	文件：1.28825 Mbytes Page：5 Pages	NPNTransistors NPNTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SD1616	文件：66.6 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1616	文件：148.33 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURE Powerdissipation PCM:0.75W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SD1616	文件：418.01 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat) ●ComplementaryTransistorwithThe2SB1116	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SD1616	文件：157.46 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconTransistor NPNSiliconTransistor The2SD1616/2SD1616Aaredesignedforusein driverandoutputstagesofAFamplifiergeneral purposeapplication. ThetransistorissubdividedintothreegroupsR,O andY,accordingtoitsDCcurrentgain Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedi	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2SD1616	文件：235.8 Kbytes Page：6 Pages	SILICONTRANSISTORS NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDMID-SPEEDSWITCHING FEATURES •LowVCE(sat): VCE(sat)=0.15VTYP.(IC=1.0A,IB=50mA) •LargePTinsmalldimensionwithversatility PT=0.75W,VCEO=50/60V,IC(DC)=1.0A •Complementarytransistorwitht	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1616	文件：184.47 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1616	文件：1.44388 Mbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowVCE(sat) ComplementaryTransistorwithThe2SB1116	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD1616A	文件：111.43 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION 2SD1616AisNPNsiliconplanartransistordesignedforuseindriverandoutputstagesofAFamplifier,generalpurposeapplication.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2SD1616A	文件：235.8 Kbytes Page：6 Pages	SILICONTRANSISTORS NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDMID-SPEEDSWITCHING FEATURES •LowVCE(sat): VCE(sat)=0.15VTYP.(IC=1.0A,IB=50mA) •LargePTinsmalldimensionwithversatility PT=0.75W,VCEO=50/60V,IC(DC)=1.0A •Complementarytransistorwitht	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1616A	文件：1.93904 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lowcollectorsaturationvoltage Highbreakdownvoltage Hightotalpowerdissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD1616A	文件：1.75193 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURE Powerdissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD1616A	文件：1.047099 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR（NPN） FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Highbreakdownvoltage ●Hightotalpowerdissipation	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SD1616A	文件：148.22 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURE Powerdissipation PCM:0.75W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:120V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SD1616A	文件：294.41 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURE Powerdissipation	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SD1616A	文件：66.6 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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详细参数

型号：
ST2SD1616
制造商：
SEMTECH_ELEC
制造商全称：
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
功能描述：
NPN Silicon Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ST2SD1616供应商更新时间2024-5-20 17:08:00

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