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ST2305A	文件：147.6 Kbytes Page：6 Pages	丝印：05**；Package：SOT-23；P Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION ST2305A is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage appl 文件：147.6 Kbytes 页数：6 Pages	STANSON 司坦森	STANSON
ST2305A	文件：502.62 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：502.62 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ST2305AS23RG	文件：147.6 Kbytes Page：6 Pages	P Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION ST2305A is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage appl 文件：147.6 Kbytes 页数：6 Pages	STANSON 司坦森	STANSON
ST2305A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Tranch MOSFET	Stanson 司坦森	Stanson

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