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ST16N10

TO-252 Package design

文件:729.44 Kbytes 页数:6 Pages

STANSON

司坦森

ST16N10

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:1.00873 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

ST16N10

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.868 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

ST16N10

Tranch MOSFET

Stanson

司坦森

ST16N10-TP

丝印:16N10;Package:TO-252-3L;N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

Features ® Ros 10m0@VGS=10vV ® Super high density cell design for extremely low Ros) | ® Exceptional on-resistance and maximum DC current

文件:2.67918 Mbytes 页数:5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

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更多ST16N10供应商 更新时间2025-12-13 14:00:00