ST16N10-TP资料datasheet下载批发采购-114ic电子网

首页 >ST16N10-TP>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
ST16N10-TP	文件：2.67918 Mbytes Page：5 Pages	Marking：16N10；Package：TO-252-3L；N-Channel 100-V (D-S) MOSFET Features ®Ros10m0@VGS=10vV ®SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRos)\| ®Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrent	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
CEB16N10	文件：539.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,15.2A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB16N10	文件：615.27 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,15.2A,RDS(ON)=120mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB16N10L	文件：634.8 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,15.2A,RDS(ON)=115mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=125mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB16N10L	文件：651.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,15.2A,RDS(ON)=115mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEC16N10L	文件：807.31 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=120mW@VGS=10V. RDS(ON)=135mW@VGS=5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED16N10	文件：628.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,13.3A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED16N10	文件：353.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,13.3A,RDS(ON)=120mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED16N10L	文件：491.95 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,13.3A,RDS(ON)=115mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=125mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED16N10L	文件：1.33831 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳中芯器材有限公司	ST16N10-TP	TECH PUBLIC(台舟)	23+	TO-252-3L	2480	三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	ST16N10低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	ST16N10低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	24+	TO-252	60000	全新原装现货	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	ST16P10	ST	23+	SOT-251	16900	正规渠道,只有原装!	询价
深圳市中福国际管理有限公司	ST16P10	ST	24+	SOT-251	200000	原装进口正口,支持样品	询价
深圳市利芯伟业科技有限公司	ST16P10	ST	22+	SOT-251	16900	支持样品,原装现货,提供技术支持!	询价
深圳市腾亿芯科技有限公司	ST16P10	ST	25+	SOT-251	16900	原装，请咨询	询价
深圳市赛美科科技有限公司	ST16-PE	PHOENIXCONTACT			65026	一级代理原装正品价格优势只做原装!	询价
天津市博通航睿技术有限公司	ST16-PE	Phoenix/菲尼克斯	23/24+	3036165	10052	优势特价原装正品全产品线技术支持	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	ST16S014VCAR1500	JAE	23+	reel	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价

更多ST16N10-TP供应商更新时间2025-5-30 10:20:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号