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SSW/I2N80A	文件：264.76 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=800V ■LowRDS(ON):4.688Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSW2N80A	文件：348.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SSWSLASHI2N80A	文件：264.76 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=800V ■LowRDS(ON):4.688Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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STP2N80	文件：202.62 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=5Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWINPUTCAPACITANCE ■LOWGATECHARGE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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SVF2N80D	文件：1.37539 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SVF2N80F	文件：2.12055 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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