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SSVMUN5312DW1T2G数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

SSVMUN5312DW1T2G

功能描述

双极晶体管 - 预偏置 SS BRT COMPLEMENTARY

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-16 23:01:00

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技术参数

  • 型号:

    SSVMUN5312DW1T2G

  • 功能描述:

    TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列:

    *

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    -

  • 晶体管类型:

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):

    200mV @ 100mA,1A 电流 -

  • 集电极截止(最大):

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE):

    300 @ 500mA,5V 功率 -

  • 最大:

    710mW 频率 -

  • 转换:

    100MHz

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 其它名称:

    MMBT489LT1GOSDKR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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