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SSVBC846BPDW1T1G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF

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厂商型号

SSVBC846BPDW1T1G

参数属性

SSVBC846BPDW1T1G 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS NPN/PNP 65V SOT363

功能描述

TRANS NPN/PNP 65V SOT363

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-16 23:01:00

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SSVBC846BPDW1T1G规格书详情

简介

SSVBC846BPDW1T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由制造生产的SSVBC846BPDW1T1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SSVBC846BPDW1T1G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :-

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :-

  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)

    :-

  • 电流 - 集电极截止(最大值)

    :-

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

    :-

  • 功率 - 最大值

    :-

  • 频率 - 跃迁

    :-

  • 工作温度

    :-

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装

    :SC-88/SC70-6/SOT-363

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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