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SST12LP14C中文资料2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier数据手册Microchip规格书

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厂商型号

SST12LP14C

参数属性

SST12LP14C 封装/外壳为16-VFQFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC AMP 802.11B/G 2.4GHZ 16VQFN

功能描述

2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier
IC AMP 802.11B/G 2.4GHZ 16VQFN

封装外壳

16-VFQFN 裸露焊盘

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 18:34:00

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SST12LP14C规格书详情

描述 Description

The SST12LP14C is a versatile power amplifier based on the highly-reliable InGaP/GaAs HBT technology.Easily configured for high-power applications with good power-added efficiency, it typically provides 32 dB gain with 29% PAE @ POUT = 23 dBm for 802.11g and 29% PAE @ POUT = 23.5 dBm for 802.11b. This power amplifier has excellent linearity while meeting 802.11g spectrum mask up to 23 dBm. The SST12LP14C also features easy board-level usage along with high-speed power-up/-down control through a single combined reference voltage pin. The SST12LP14C has an excellent on-chip and singleended power detector, and is offered in 16-contact VQFN package.

特性 Features

Applications:
• WLAN (IEEE 802.11b/g)
• Home RF
• Cordless phones
• 2.4 GHz ISM wireless

简介

SST12LP14C属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的SST12LP14C射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    SST12LP14C-QVCE

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    托盘

  • 频率:

    2.4GHz ~ 2.485GHz

  • P1dB:

    26dBm

  • 增益:

    32dB

  • 射频类型:

    802.11b/g

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 电流 - 供电:

    230mA

  • 测试频率:

    2.4GHz ~ 2.485GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    16-VQFN(3x3)

  • 描述:

    IC AMP 802.11B/G 2.4GHZ 16VQFN

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