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SST11LP12数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF

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厂商型号

SST11LP12

参数属性

SST11LP12 封装/外壳为16-WFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC AMP WLAN 4.9GHZ-5.8GHZ 16WQFN

功能描述

5 Ghz Power Amplifiers Products
IC AMP WLAN 4.9GHZ-5.8GHZ 16WQFN

封装外壳

16-WFQFN 裸露焊盘

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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SST11LP12规格书详情

描述 Description

The SST11LP12 is a high-power, high-gain power amplifier based on the highly-reliable InGaP/GaAs HBT technology. It is configured for high-power, high-efficiency applications with superb power-added efficiency while operating over the entire 802.11a frequency band for U.S., European, and Japanese markets (4.9-5.8 GHz). The power amplifier IC features easy board-level usage along with high-speed power-up/down control and is offered in a 16-contact WQFN package.

特性 Features

•High gain
•High linear output power:– Meets 802.11a OFDM Spectrum Mask requirements up to 24 dBm over the entire band– Added EVM

简介

SST11LP12属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的SST11LP12射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SST11LP12

  • 生产厂家

    :Microchip

  • 5K Pricing

    :$0.75

  • Description

    :High Power IEEE 802.11 a/n PA

  • Packages

    :16/WQFN

  • Type

    :Power Ampllifier

  • Gain

    :28-34

  • Linear Power

    :20

  • Voltage (V)

    :3.0 - 4.2

  • Frequency GHz

    :5.0 - 5.9

  • Technology

    :InGaP/GaAs HBT

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