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SSR2N60B	文件：644.85 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：644.85 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
SSR2N60B	文件：1.08808 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08808 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SSR2N60B-NL	文件：1.08811 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08811 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SSR2N60BTM	文件：1.08809 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08809 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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更多SSR2N60B供应商更新时间2026-1-24 9:11:00