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SSP10N60B	文件：909.24 Kbytes Page：10 Pages	600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand h 文件：909.24 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
SSP10N60B	文件：280.78 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：280.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SSP10N60B	文件：1.10904 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10904 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SSP10N60B	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
SSP10N60B
功能描述：
MOSFET N-Ch/600V/9a/0.8Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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