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SSP1N60B

600V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi

文件:852.72 Kbytes 页数:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

SSR1N60

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08819 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SSR1N60A

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08907 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SSR1N60A

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:322.07 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    SSP1N60B

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch/600V/1a/12Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SSP1N60B供应商 更新时间2026-1-29 23:00:00