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SSM6N7002KFULXG中文资料东芝数据手册PDF规格书

SSM6N7002KFULXG
厂商型号

SSM6N7002KFULXG

功能描述

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

丝印标识

NN

封装外壳

US6

文件大小

237.48 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-15 22:30:00

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SSM6N7002KFULXG规格书详情

1. Applications

• High-Speed Switching

2. Features

(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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