首页 >SSM6N7002KFU/LF>规格书列表
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MOSFET60VDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION V DS60V V GS20V ID(A)= 0.29A R DS(ON)ON)=1.5Ω(@VGS=10V R DS(ON)ON)=2.0Ω(@VGS=4.5V The AM6N7002KisavailableinSC706package FEATURES ⚫HighSpeedSwitching ⚫ESDProtection>2kVHBM ⚫AvailableinSC706package APPLICATIONS ⚫Portable | AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技 | AITSEMI | ||
DualN-Channel60V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
High-SpeedSwitchingApplicationsAnalogSwitchApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
DualN-Channel60V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
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High-SpeedSwitching | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
DualN-Channel60V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
HighSpeedSwitchingApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS 1.Applications •High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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