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SSM6L39TU	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6L39TU	文件：266.76 Kbytes Page：9 Pages	丝印：LL1；Power Management Switch Applications 文件：266.76 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6L39TU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch + P-ch\nGeneration：U-MOSⅢ\nInternal Connection：Independent\nComponent Product (Q1)：SSM6N39TU\nComponent Product (Q2)：SSM6P39TU\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Drain current (Q1) ID 1.6 A \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V \nGate-Source voltage (Q1) VGSS +/-10 V \nDrain current (Q2) ID -1.5 A \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V \nGate-Source voltage (Q2) VGSS +/-10 V \nPower Dissipation PD 0.5 W ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TA6L39A	文件：130.38 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount PAR® Transient Voltage Suppressors FEATURES • Low-profile package • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • Junction passivation optimized design passivated anisotropic rectifier technology • TJ = 185 °C capability suitable for high reliability and automotive requirement • Unidirectional only • Excell 文件：130.38 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

技术参数

Polality：
N-ch + P-ch
VDSS(V)：
20/-20
VGSS(V)：
+/-10
ID：
Q1(A)
ID：
Q2(A)
PD(W)：
0.5
Ciss：
Q1(pF)Typ.
Ciss：
Q2(pF)Typ.
Qg：
Q1(nC)Typ.
Qg：
Q2(nC)Typ.
RDS(ON)：
Q1(Ω)VGS=2.5VMax
RDS(ON)：
Q2(Ω)VGS=-2.5VMax
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
UF6
AEC-Q101：
Qualified(*)
Generation：
U-MOSⅢ/U-MOSⅢ
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.7
Package Size(mm2)：
4.20
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

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