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SSM6K781G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅦ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：Taiwan Drain current ID 7 A \nPower Dissipation PD 1.6 W \nDrain-Source voltage VDSS 12 V \nGate-Source voltage VGSS +/-8 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
SSM6K781G	文件：231.65 Kbytes Page：9 Pages	丝印：NBB；Package：WCSP6C；Power Management Switches 文件：231.65 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSP20N60S	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	SUPER超致上传：深圳市乐创天科技有限公司	SUPER超致
SSP21110-620	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	DDC 上传：深圳市勤思达科技有限公司	DDC
SSP70N10A	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	仙童上传：深圳市勤思达科技有限公司	仙童

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
12
VGSS(V)：
+/-8
ID(A)：
7.0
PD(W)：
1.6
Ciss(pF)：
600
Qg(nC)：
5.4
=1.5V：
0.124
=1.8V：
0.0474
=2.5V：
0.0232
=4.5V：
0.018
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
WCSP6C
Generation：
U-MOSⅦ-H
Width×Length×Height(mm)：
1.5 x 1.0 x 0.5
Package Size(mm^2)：
1.50
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

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