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SSM6K513NU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅨ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID 15 A \nPower Dissipation PD 1.25 W \nDrain-Source voltage VDSS 30 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
SSM6K513NU	文件：269.3 Kbytes Page：9 Pages	丝印：SNA；Package：UDFN6B；MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS??H) 文件：269.3 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSP20N60S	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	SUPER超致上传：深圳市乐创天科技有限公司	SUPER超致
SSP21110-620	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	DDC 上传：深圳市勤思达科技有限公司	DDC
SSP70N10A	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	仙童上传：深圳市勤思达科技有限公司	仙童

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
30
VGSS(V)：
+/-20
ID(A)：
15
PD(W)：
1.25
Ciss(pF)：
1130
Qg(nC)：
7.5
=4.5V：
0.012
=10V：
0.0089
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
UDFN6B
Generation：
U-MOSⅨ-H
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.0 x 0.75
Package Size(mm^2)：
4.00
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SSM6K513NU供应商更新时间2025-10-26 14:01:00

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