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SSM6K407TU	文件：346.17 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAField-EffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType ○DC−DCConverter,RelayDriveandMotorDriveApplications •4Vdrive •LowON-resistance:Ron=440mΩ(max)(@VGS=4V) :Ron=300mΩ(max)(@VGS=10V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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SSM6K407TU

文件：346.17 Kbytes

Page：7 Pages

TOSHIBAField-EffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType

○DC−DCConverter,RelayDriveandMotorDriveApplications •4Vdrive •LowON-resistance:Ron=440mΩ(max)(@VGS=4V) :Ron=300mΩ(max)(@VGS=10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

SSM6K407TU

文件：1.58274 Mbytes

Page：73 Pages

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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更多SSM6K407TU,LF(T供应商更新时间2024-6-22 8:00:00

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