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SSM6K406TU	文件：240.49 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ○ High-Speed Switching Applications • 4.5-V drive • Low ON-resistance: Ron = 38.5 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 25.0 mΩ (max) (@VGS = 10 V) 文件：240.49 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6K406TU	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6K406TU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID 4.4 A \nPower Dissipation PD 0.5 W \nDrain-Source voltage VDSS 30 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
SSM6K504NU	文件：0 bytes Page：0 Pages	UDFN6B	TOSHIBA/东芝上传：深圳庞田科技有限公司	TOSHIBA/东芝
SSM6K504NUMOS(场效应管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	UDFN6B	TOSHIBA/东芝上传：深圳庞田科技有限公司	TOSHIBA/东芝

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更多SSM6K406TU供应商更新时间2026-1-31 15:05:00