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SSM6K210FE	文件：251.47 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ○ High-Speed Switching Applications ○ Power Management Switch Applications • 4.0-V drive • Low ON-resistance: Ron = 371 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V), Ron = 228 mΩ (max) (@VGS = 10 V) 文件：251.47 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6K210FE	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6K210FE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small-signal MOSFET Polarity：N-ch\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Drain current ID 1.5 A \nDrain-Source voltage VDSS 30 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
SSM6K504NU	文件：0 bytes Page：0 Pages	UDFN6B	TOSHIBA/东芝上传：深圳庞田科技有限公司	TOSHIBA/东芝
SSM6K504NUMOS(场效应管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	UDFN6B	TOSHIBA/东芝上传：深圳庞田科技有限公司	TOSHIBA/东芝

Product Category：
Small-signal MOSFET
Package name(Toshiba)：
ES6
Recommended Product 1：
SSM3K336R(Almost same characteristics but different package)

更多SSM6K210FE供应商更新时间2026-1-17 8:31:00