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SSM6J801R

Small-signal MOSFET

Polarity:P-ch\nGeneration:U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:泰国 Drain current ID -6 A \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS -8/+6 V ;

Toshiba

东芝

SSM6J801R

丝印:SP3;Package:TSOP6F;MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS??

文件:295.17 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM6K504NU

TOSHIBA/东芝
UDFN6B

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

SSM6K504NUMOS(场效应管)

TOSHIBA/东芝
UDFN6B

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

SSP20N60S

SUPER超致
TO-220

SUPER超致

技术参数

  • Polarity:

    P-ch

  • VDSS(V):

    -20

  • VGSS(V):

    +6/-8

  • ID(A):

    -6.0

  • PD(W):

    1.5

  • Ciss(pF):

    840

  • Qg(nC):

    12.8

  • =1.5V:

    0.0884

  • =1.8V:

    0.056

  • =2.5V:

    0.0397

  • =4.5V:

    0.0325

  • Number of pins:

    6

  • Surface mount package:

    Y

  • Package name(Toshiba):

    TSOP6F

  • Generation:

    U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm):

    2.9 x 2.8 x 0.8

  • Package Size(mm^2):

    8.12

  • Drive voltage type:

    Low Voltage Gate Drive

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更多SSM6J801R供应商 更新时间2025-10-11 10:11:00