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SSM6J511NU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current ID -14 A \nPower Dissipation PD 1.25 W \nDrain-Source voltage VDSS -12 V \nGate-Source voltage VGSS +/-10 V \n; Polarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国\n	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	Toshiba
SSM6J511NU	文件：300.99 Kbytes Page：9 Pages	丝印：SPA；Package：UDFN6B；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS??	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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SSM6J511NU

文件：300 bytes

Page：1 Pages

Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current ID -14 A \nPower Dissipation PD 1.25 W \nDrain-Source voltage VDSS -12 V \nGate-Source voltage VGSS +/-10 V \n;

Polarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国\n

ToshibaToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

Toshiba

SSM6J511NU

文件：300.99 Kbytes

Page：9 Pages

丝印：SPA；Package：UDFN6B；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS??

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

技术参数

Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-12
VGSS(V)：
+/-10
ID(A)：
-14
PD(W)：
1.25
Ciss(pF)：
3350
Qg(nC)：
47
=1.8V：
0.0192
=2.5V：
0.0135
=4.5V：
0.01
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
UDFN6B
Generation：
U-MOSⅦ
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.0 x 0.75
Package Size(mm^2)：
4.00
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SSM6J511NU供应商更新时间2025-7-29 14:00:00

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