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SSM6J511NU

Small Low ON resistance MOSFETs

Polarity:P-ch\nGeneration:U-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:泰国 Drain current ID -14 A \nPower Dissipation PD 1.25 W \nDrain-Source voltage VDSS -12 V \nGate-Source voltage VGSS +/-10 V ;

Toshiba

东芝

SSM6J511NU

丝印:SPA;Package:UDFN6B;MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS??

文件:300.99 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM6K504NU

TOSHIBA/东芝
UDFN6B

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

SSM6K504NUMOS(场效应管)

TOSHIBA/东芝
UDFN6B

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

SSP20N60S

SUPER超致
TO-220

SUPER超致

技术参数

  • Polarity:

    P-ch

  • VDSS(V):

    -12

  • VGSS(V):

    +/-10

  • ID(A):

    -14

  • PD(W):

    1.25

  • Ciss(pF):

    3350

  • Qg(nC):

    47

  • =1.8V:

    0.0192

  • =2.5V:

    0.0135

  • =4.5V:

    0.01

  • Number of pins:

    6

  • Surface mount package:

    Y

  • Package name(Toshiba):

    UDFN6B

  • Generation:

    U-MOSⅦ

  • Width×Length×Height(mm):

    2.0 x 2.0 x 0.75

  • Package Size(mm^2):

    4.00

  • Drive voltage type:

    Low Voltage Gate Drive

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA/东芝
20+
UDFN6B
120000
原装正品 可含税交易
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DFN6
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更多SSM6J511NU供应商 更新时间2025-10-12 14:00:00