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SSM6J507NU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID -10 A \nPower Dissipation PD 1.25 W \nDrain-Source voltage VDSS -30 V \nGate-Source voltage VGSS -25/+20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
SSM6J507NU	文件：246.06 Kbytes Page：9 Pages	丝印：SP7；Package：UDFN6B；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS?? 文件：246.06 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6K504NU	文件：0 bytes Page：0 Pages	UDFN6B	TOSHIBA/东芝上传：深圳庞田科技有限公司	TOSHIBA/东芝
SSM6K504NUMOS(场效应管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	UDFN6B	TOSHIBA/东芝上传：深圳庞田科技有限公司	TOSHIBA/东芝
SSP20N60S	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	SUPER超致上传：深圳市乐创天科技有限公司	SUPER超致

技术参数

Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-30
VGSS(V)：
+20/-25
ID(A)：
-10
PD(W)：
1.25
Ciss(pF)：
1150
Qg(nC)：
13.6
=4V：
0.032
=4.5V：
0.028
=10V：
0.02
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
UDFN6B
Generation：
U-MOSⅥ
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.0 x 0.75
Package Size(mm^2)：
4.00
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

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