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SSM6J502NU	文件：433.66 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconP-ChannelMOS 1.Applications •PowerManagementSwitches 2.Features (1)1.5-Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=60.5mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=38.4mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=28.3mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=23.1mΩ(max)(@VGS=-4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM6J502NU	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM6J502NU	文件：242.78 Kbytes Page：6 Pages	PowerManagementSwitchApplications PowerManagementSwitchApplications •1.5Vdrive •LowON-resistance:RDS(ON)=60.5mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=38.4mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=28.3mΩ(max)(@VGS=-2.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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SSM6J502NU

文件：433.66 Kbytes

Page：9 Pages

MOSFETsSiliconP-ChannelMOS

1.Applications •PowerManagementSwitches 2.Features (1)1.5-Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=60.5mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=38.4mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=28.3mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=23.1mΩ(max)(@VGS=-4.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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PowerManagementSwitchApplications

PowerManagementSwitchApplications •1.5Vdrive •LowON-resistance:RDS(ON)=60.5mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=38.4mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=28.3mΩ(max)(@VGS=-2.5V)

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更多SSM6J502NULF(T)供应商更新时间2024-9-24 16:09:00

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