SSM6J502NU中文资料东芝数据手册PDF规格书

厂商型号	SSM6J502NU
功能描述	MOSFETs Silicon P-Channel MOS
丝印标识	SP2
封装外壳	UDFN6B
文件大小	433.66 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	Toshiba Semiconductor
企业简称	TOSHIBA【东芝】
中文名称	株式会社东芝官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-6-13 18:40:00
人工找货	SSM6J502NU价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

1. Applications

• Power Management Switches

2. Features

(1) 1.5-V drive

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 60.5 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)

RDS(ON) = 38.4 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 28.3 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 23.1 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

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