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SSM6J414TU

Power Management Switches

文件:221.24 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM6J414TU_14

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

文件:220.71 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM6J414TU

Small Low ON resistance MOSFETs

Polarity:P-ch\nGeneration:U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:日本 / 泰国 Drain current ID -6 A \nPower Dissipation PD 1 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-8 V ;

Toshiba

东芝

SSM6K504NU

UDFN6B

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

SSM6K504NUMOS(场效应管)

UDFN6B

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

技术参数

  • Polarity:

    P-ch

  • VDSS(V):

    -20

  • VGSS(V):

    +/-8

  • ID(A):

    -6.0

  • PD(W):

    1.0

  • Ciss(pF):

    1650

  • Qg(nC):

    23.1

  • =1.5V:

    0.054

  • =1.8V:

    0.036

  • =2.5V:

    0.026

  • =4.5V:

    0.0225

  • Number of pins:

    6

  • Surface mount package:

    Y

  • Package name(Toshiba):

    UF6

  • Generation:

    U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm):

    2.0 x 2.1 x 0.7

  • Package Size(mm^2):

    4.20

  • Drive voltage type:

    Low Voltage Gate Drive

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA/东芝
2025+
UF6
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TOSHIBA/东芝
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SOT-363
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TOSHIBA/东芝
23+
SOT-363
50000
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SOT-363
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TOSHIBA
SOT363
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更多SSM6J414TU供应商 更新时间2025-11-19 16:36:00