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SSM6J409TU	文件：228.39 Kbytes Page：6 Pages	Field-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSV) ○PowerManagementSwitchApplications ○High-SpeedSwitchingApplications •1.5Vdrive •LowON-resistance:Ron=72.3mΩ(max)(@VGS=-1.5V) Ron=46.2mΩ(max)(@VGS=-1.8V) Ron=30.2mΩ(max)(@VGS=-2.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM6J409TU	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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制造商&上传企业

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SSM6J409TU

文件：228.39 Kbytes

Page：6 Pages

Field-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSV)

○PowerManagementSwitchApplications ○High-SpeedSwitchingApplications •1.5Vdrive •LowON-resistance:Ron=72.3mΩ(max)(@VGS=-1.5V) Ron=46.2mΩ(max)(@VGS=-1.8V) Ron=30.2mΩ(max)(@VGS=-2.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

SSM6J409TU

文件：1.58274 Mbytes

Page：73 Pages

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

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更多SSM6J409TU(TESC供应商更新时间2024-6-23 17:58:00

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