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SSM5H90ATU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Multi-chip discrete device (N-ch + switching diode) Generation：U-MOSⅦ-H\nInternal Connection：Independent\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Drain current (Q1) ID 2.4 A \nQ2 Average Forward Current IO 100 mA \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V \nQ2 Reverse Voltage VR 80 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
SSM5H90ATU	文件：240.28 Kbytes Page：9 Pages	Composite Devices Silicon N-Channel MOS/Diode Epitaxial Planar 文件：240.28 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM5H90TU	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SB5H90	文件：443.942 Kbytes Page：2 Pages	5A 90V Schottky diode 文件：443.942 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SB5H90	文件：96.07 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Schottky Rectifier High Barrier Technology for Improved High Temperature Performance 文件：96.07 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SB5H90	文件：71.19 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Schottky Rectifier 文件：71.19 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

技术参数

Configuration：
N-ch MOS + SW-DI
(Q1)VDS (Max)(V)：
20
(Q1)ID (Max)(A)：
2.4
(Q2)VR (Max)(V)：
80
Number of pins：
5
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
UFV
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.7
Package Size(mm^2)：
4.20

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