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SSM5H06FE	文件：163.25 Kbytes Page：8 Pages	Combined Nch MOSFET and Schottky Diode in one Package. 文件：163.25 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM5H06FE_14	文件：230.42 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS Type / Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode 文件：230.42 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM5H06FE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Multi-chip discrete device (N-ch + SBD) Internal Connection：Independent\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Drain current (Q1) ID 0.1 A \nQ2 Average Forward Current IO 100 mA \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V \nQ2 Reverse Voltage VR 12 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
SSM6J402TU(TE85L,F)	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-6	TOSHIBA 东芝上传：深圳市旺财半导体有限公司	TOSHIBA
SSM6K504NU	文件：0 bytes Page：0 Pages	UDFN6B	TOSHIBA/东芝上传：深圳庞田科技有限公司	TOSHIBA/东芝

技术参数

Configuration：
N-ch MOS + SBD
(Q1)VDS (Max)(V)：
20
(Q1)ID (Max)(A)：
0.1
(Q2)VR (Max)(V)：
12
Number of pins：
5
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
ESV
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 1.6 x 0.55
Package Size(mm^2)：
2.56

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏和科技有限公司	SSM5H07TU	TOSHIBA	24+	SOT-353	5000	只做原装公司现货	询价
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更多SSM5H06FE供应商更新时间2025-12-6 10:20:00

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